Справочник MOSFET. AP4425GO

 

AP4425GO Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4425GO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для AP4425GO

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4425GO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ape
ap4425go.pdfpdf_icon

AP4425GO

AP4425GORoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Small & Thin Package D BVDSS -20VSSD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 42mGS Capable of 1.8V Gate Drive ID -4.2ASTSSOP-8DDDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theSdesigner with the best combination of fast switching,ru

 7.1. Size:197K  ape
ap4425gm.pdfpdf_icon

AP4425GO

AP4425GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 35VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 9mD RoHS Compliant ID 13AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design,

 9.1. Size:171K  ape
ap4423gm.pdfpdf_icon

AP4425GO

AP4423GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low On-resistance RDS(ON) 15mD Fast Switching Characteristic ID -11AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP4423 series are from

 9.2. Size:60K  ape
ap4426gm-hf.pdfpdf_icon

AP4425GO

AP4426GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 6.5mD Low On-resistance ID 16AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.