Справочник MOSFET. AP4432GM

 

AP4432GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4432GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4432GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4432GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
ap4432gm.pdfpdf_icon

AP4432GM

AP4432GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 15mD RoHS Compliant ID 10AGSSSSO-8DescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device de

 9.1. Size:93K  ape
ap4430gm-hf.pdfpdf_icon

AP4432GM

AP4430GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 35VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.6mD Fast Switching Characteristic ID 20AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination

 9.2. Size:95K  ape
ap4438cgm-hf.pdfpdf_icon

AP4432GM

AP4438CGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5mD Fast Switching Characteristic ID 11.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

 9.3. Size:176K  ape
ap4434gm.pdfpdf_icon

AP4432GM

AP4434GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20VDDD Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 18.5mD Surface mount package ID 8.3AGSSSSO-8DDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,Sruggedized devi

Другие MOSFET... AP4425GM , AP4425GO , AP4426GM-HF , AP4427GM , AP4428GM , AP4429GM-HF , AP4430GEM , AP4430GM-HF , AON7410 , AP4433GM-HF , AP4434AGH-HF , AP4434AGM-HF , AP4434AGYT-HF , AP4434GH-HF , AP4434GM , AP4435GH-HF , AP4435GJ-HF .

History: 2SK30ATM | 2SK3413LS

 

 
Back to Top

 


 
.