AP4434AGM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP4434AGM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4434AGM-HF
AP4434AGM-HF Datasheet (PDF)
ap4434agm-hf.pdf

AP4434AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 20VDDD Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 22mD Fast Switching Characteristic ID 8.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of
ap4434agh-hf-pre.pdf

AP4434AGH-HFPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theD
ap4434agyt-hf.pdf

AP4434AGYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 10.8AGDSDDDescriptionDAP4434A series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on
ap4434gm.pdf

AP4434GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20VDDD Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 18.5mD Surface mount package ID 8.3AGSSSSO-8DDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,Sruggedized devi
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740