Справочник MOSFET. AP4435GH-HF

 

AP4435GH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4435GH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4435GH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ape
ap4435gh-hf ap4435gj-hf.pdfpdf_icon

AP4435GH-HF

AP4435GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Lower On-resistance RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID -40AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,

 6.1. Size:214K  ape
ap4435gh ap4435gj.pdfpdf_icon

AP4435GH-HF

AP4435GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Lower On-resistance RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID -40AGSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialDS TO-252(H)surface mount applications and suited for low voltag

 7.1. Size:202K  ape
ap4435gm-hf.pdfpdf_icon

AP4435GH-HF

AP4435GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low On-resistance RDS(ON) 20mD Fast Switching Characteristic ID -9AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 7.2. Size:54K  ape
ap4435gm.pdfpdf_icon

AP4435GH-HF

AP4435GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Low On-resistance D RDS(ON) 20mD Fast Switching Characteristic ID -9AGSSSO-8 SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SWP038R10ES | MTN50N06E3 | CPC3730 | DMP610DL | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5

 

 
Back to Top

 


 
.