FRE460H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRE460H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm

Тип корпуса: TO258AA

Аналог (замена) для FRE460H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRE460H даташит

 8.1. Size:47K  intersil
 fre460.pdf pdf_icon

FRE460H

FRE460D, FRE460R, FRE460H 12A, 500V, 0.410 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 12A, 500V, RDS(on) = 0.410 TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRE160R, FRE260D, FRE260H, FRE260R, FRE264D, FRE264H, FRE264R, FRE460D, 7N65, FRE460R, FRE9160D, FRE9160H, FRE9160R, FRE9260D, FRE9260H, FRE9260R, FRF150D