Справочник MOSFET. AP4501GM

 

AP4501GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4501GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(5.3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5(10) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(80) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.05) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4501GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4501GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  ape
 ap4501gm.pdf pdf_icon

AP4501GM

AP4501GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 P-CH BVDSS -30VG1S1SO-8RDS(ON) 50mDescription ID -5.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best com

 0.1. Size:80K  ape
 ap4501gm-hf.pdf pdf_icon

AP4501GM

AP4501GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1D1 Fast Switching Performance ID 7AG2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VS2G1S1SO-8 RDS(ON) 50mDescription ID -5.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC pro

 7.1. Size:84K  ape
 ap4501gd.pdf pdf_icon

AP4501GM

AP4501GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VD2D2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 28mD1 PDIP-8 Package ID 7A RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VG2S2RDS(ON) 50mPDIP-8G1S1ID -5.3ADescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with t

 7.2. Size:119K  ape
 ap4501gh-hf.pdf pdf_icon

AP4501GM

AP4501GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 18m Fast Switching Performance ID 10.2AS1G1S2 Halogen-Free Product P-CH BVDSS -30VG2RDS(ON) 50mTO-252-4LDescription ID -6.4AAdvanced Power MOSFETs from APEC provi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4500GM-HF , AP4500GYT-HF , AP4501AGEM-HF , AP4501AGEY-HF , AP4501AGM-HF , AP4501CGM-HF , AP4501GD , AP4501GH-HF , RU6888R , AP4501GSD , AP4502AGM-HF , AP4502GM , AP4503AGEM-HF , AP4503AGM-HF , AP4503BGM-HF , AP4503BGO-HF , AP4503GM .

 

 
Back to Top

 


 
.