FRE9160R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRE9160R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 440 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO258AA
Аналог (замена) для FRE9160R
FRE9160R Datasheet (PDF)
fre9160.pdf

FRE9160D, FRE9160R,FRE9160H30A, -100V, 0.095 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 30A, -100V, RDS(on) = 0.095TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
Другие MOSFET... FRE264D , FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , FRE9160H , IRLZ44N , FRE9260D , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D , FRF250H .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor