AP4511GED-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP4511GED-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6(5) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20(15) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110(165) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.042) Ohm
Тип корпуса: PDIP8
Аналог (замена) для AP4511GED-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4511GED-HF даташит
ap4511ged-hf.pdf
AP4511GED-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D1 Lower Gate Charge RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V S2 PDIP-8 G1 S1 RDS(ON) 42m Description ID -5A Advanced Power MOSFETs from APEC
ap4511ged.pdf
AP4511GED Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D1 Lower Gate Charge RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6A G2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V S2 PDIP-8 G1 S1 RDS(ON) 42m Description ID -5A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
ap4511gm.pdf
AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2 D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON)
ap4511gm-hf.pdf
AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC pr
Другие MOSFET... AP4503GM , AP4506GEH , AP4506GEH-HF , AP4506GEM-HF , AP4509AGH-HF , AP4509AGM-HF , AP4509GM-HF , AP4511GD , AOD4184A , AP4511GH , AP4511GH-A , AP4511GM-HF , AP4513GD , AP4513GH , AP4513GH-A , AP4513GM-HF , AP4515GM .
History: FDD9407 | SM7340EHKP | ELM32430LA | SM4804DSK | IRFH3205 | 2SK3496-01MR | JCS4N60CB
History: FDD9407 | SM7340EHKP | ELM32430LA | SM4804DSK | IRFH3205 | 2SK3496-01MR | JCS4N60CB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032








