Справочник MOSFET. AP4521GEM

 

AP4521GEM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4521GEM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8(4.2) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7(8) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90(80) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036(0.072) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4521GEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  ape
ap4521gem.pdfpdf_icon

AP4521GEM

AP4521GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36mD1D1 RoHS Compliant ID 5.8AG2P-CH BVDSS -40VS2G1S1SO-8RDS(ON) 72mDescription ID -4.1AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b

 6.1. Size:117K  ape
ap4521geh.pdfpdf_icon

AP4521GEM

AP4521GEHPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 36m Fast Switching Performance ID 11.7AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 72mTO-252-4LDescription ID -8.7AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provid

 9.1. Size:120K  ape
ap4526agh-hf.pdfpdf_icon

AP4521GEM

AP4526AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S2RDS(ON) 42mG2Description ID -6.7ATO-252-4LD1D2Advanced Power MOSFE

 9.2. Size:95K  ape
ap4527gn3.pdfpdf_icon

AP4521GEM

AP4527GN3PreliminaryAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2D2 Bottom Exposed DFN N-CH BVDSS 20VD1D1 Low On-resistance RDS(ON) 35m Lower Profile ID 4.7AS2G2S1DFN3*3 RoHS Compliant G1 P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 65mID -3.3AD2D1G1 G2S2S1Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Units N-channe

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRF3610SPBF | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | BF861A | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.