FRE9260R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRE9260R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 700 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO258AA
FRE9260R Datasheet (PDF)
fre9260.pdf
FRE9260D, FRE9260R,FRE9260H19A, -200V, 0.210 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 19A, -200V, RDS(on) = 0.210TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(SI)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
Другие MOSFET... FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , FRE9160H , FRE9160R , FRE9260D , FRE9260H , 12N60 , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R , FRF254D , FRF254H .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918