AP4525GEM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4525GEM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6(5) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
trⓘ - Время нарастания: 20(15) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100(165) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.042) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4525GEM-HF
AP4525GEM-HF Datasheet (PDF)
ap4525gem-hf.pdf
AP4525GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 6AG2S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON) 42mDescription ID -5AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesi
ap4525gem.pdf
AP4525GEM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 40V Simple Drive Requirement D2D2D1 RDS(ON) 28m Low On-resistance D1 ID 6A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON
ap4525geh-hf.pdf
AP4525GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the
ap4525geh.pdf
AP4525GEHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b
ap4525geh.pdf
AP4525GEHwww.VBsemi.twN- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNELd 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 40 - 40RDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 0.014RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.016 0.016APPLICATIONSID (A) 50 - 50 CCFL InverterConfiguration N- and P-PairTO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918