FRF150D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRF150D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 628 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для FRF150D
FRF150D Datasheet (PDF)
frf150.pdf

FRF150D, FRF150R,FRF150H25A, 100V, 0.07 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 25A, 100V, RDS(on) = 0.07TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FRE460H , FRE460R , FRE9160D , FRE9160H , FRE9160R , FRE9260D , FRE9260H , FRE9260R , K4145 , FRF150H , FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R , FRF254D , FRF254H , FRF254R .
History: JCS2N70MFH | P1003BK
History: JCS2N70MFH | P1003BK



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent