Справочник MOSFET. FRF150H

 

FRF150H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRF150H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 628 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FRF150H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRF150H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  intersil
 frf150.pdf pdf_icon

FRF150H

FRF150D, FRF150R,FRF150H25A, 100V, 0.07 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 25A, 100V, RDS(on) = 0.07TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRE460R , FRE9160D , FRE9160H , FRE9160R , FRE9260D , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , IRF4905 , FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R , FRF254D , FRF254H , FRF254R , FRF450D .

History: FK18SM-10 | HUF75631P3

 

 
Back to Top

 


 
.