AP4800GYT-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4800GYT-HF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4800GYT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4800GYT-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap4800gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 13m RoHS Compliant ID 13A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resis

 7.1. Size:80K  ape
 ap4800gm.pdf pdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 25V D D Fast Switching D RDS(ON) 18m D Simple Drive Requirement ID 9A G S S SO-8 S Description D D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 7.2. Size:223K  ape
 ap4800gem.pdf pdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800GEM Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18m D Low On-resistance ID 9.2A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP4800 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technolog

 8.1. Size:94K  ape
 ap4800dgm-hf.pdf pdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800DGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m D Fast Switching Characteristic ID 9A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4578GD, AP4578GH-HF, AP4578GM-HF, AP4800AGM-HF, AP4800BGM-HF, AP4800CGM-HF, AP4800DGM-HF, AP4800GM, 18N50, AP4810GSM, AP4813GSM-HF, AP4813GYT-HF, AP4820AGYT-HF, AP4820GYT-HF, AP4835GM, AP4835GMT-HF, 2SK1940-01