Справочник MOSFET. AP4800GYT-HF

 

AP4800GYT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4800GYT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
 

 Аналог (замена) для AP4800GYT-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4800GYT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
ap4800gyt-hf.pdfpdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 13m RoHS Compliant ID 13AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDdesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resis

 7.1. Size:80K  ape
ap4800gm.pdfpdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow On-Resistance BVDSS 25V DDFast Switching D RDS(ON) 18m DSimple Drive Requirement ID 9A GSSSO-8SDescriptionDDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.2. Size:223K  ape
ap4800gem.pdfpdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800GEMHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18mD Low On-resistance ID 9.2AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP4800 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technolog

 8.1. Size:94K  ape
ap4800dgm-hf.pdfpdf_icon

AP4800GYT-HF

AP4800DGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 18mD Fast Switching Characteristic ID 9AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fas

Другие MOSFET... AP4578GD , AP4578GH-HF , AP4578GM-HF , AP4800AGM-HF , AP4800BGM-HF , AP4800CGM-HF , AP4800DGM-HF , AP4800GM , 75N75 , AP4810GSM , AP4813GSM-HF , AP4813GYT-HF , AP4820AGYT-HF , AP4820GYT-HF , AP4835GM , AP4835GMT-HF , 2SK1940-01 .

History: NTMD4884NFR2G | FDP8N50NZU | AP9435GP-HF | TPB70R950C | NTMFS4939NT1G | CS10N60A8HD | RS1G120MN

 

 
Back to Top

 


 
.