AP4813GYT-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4813GYT-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PMPAK3X3
Аналог (замена) для AP4813GYT-HF
AP4813GYT-HF Datasheet (PDF)
ap4813gyt-hf.pdf
AP4813GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODED Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10mSchottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fas
ap4813gsm-hf.pdf
AP4813GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 9mD Fast Switching Performance ID 13AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky DiodeGdesigner with the best comb
ap4816gsm.pdf
AP4816GSMRoHS-compliant ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODES1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22mD1 Fast Switching Performance ID 6.7AG2CH-2 BVDSS 30VS2/AS2/ASO-8RDS(ON) 13mG1Description ID 11.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des
ap4810gsm.pdf
AP4810GSMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 13.5mD Fast Switching Performance ID 11AGSSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky DiodeGdesigner with the best combination of fast switching,rugge
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918