Справочник MOSFET. AP4813GYT-HF

 

AP4813GYT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4813GYT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4813GYT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ape
ap4813gyt-hf.pdfpdf_icon

AP4813GYT-HF

AP4813GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODED Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10mSchottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fas

 7.1. Size:102K  ape
ap4813gsm-hf.pdfpdf_icon

AP4813GYT-HF

AP4813GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 9mD Fast Switching Performance ID 13AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky DiodeGdesigner with the best comb

 9.1. Size:131K  ape
ap4816gsm.pdfpdf_icon

AP4813GYT-HF

AP4816GSMRoHS-compliant ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODES1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22mD1 Fast Switching Performance ID 6.7AG2CH-2 BVDSS 30VS2/AS2/ASO-8RDS(ON) 13mG1Description ID 11.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des

 9.2. Size:105K  ape
ap4810gsm.pdfpdf_icon

AP4813GYT-HF

AP4810GSMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 13.5mD Fast Switching Performance ID 11AGSSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky DiodeGdesigner with the best combination of fast switching,rugge

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APT50M80LVFR | STP40NF10L | LNN04R075 | LSB55R066GT | FIR18N50FG | NCEAP40T35ALL | AP6P090H

 

 
Back to Top

 


 
.