Справочник MOSFET. AP4955GM

 

AP4955GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4955GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4955GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4955GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
ap4955gm.pdfpdf_icon

AP4955GM

AP4955GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS -20VD2D1 Low Gate Charge RDS(ON) 45mD1 Fast Switching Characteristic ID -5.6AG2S2G1S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,ruggedize

 0.1. Size:94K  ape
ap4955gm-hf.pdfpdf_icon

AP4955GM

AP4955GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS -20VD2D1 Low Gate Charge RDS(ON) 45mD1 Fast Switching Characteristic ID -5.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best comb

 9.1. Size:182K  ape
ap4951gm.pdfpdf_icon

AP4955GM

AP4951GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD2D2D1 Low Gate Charge RDS(ON) 96mD1 Fast Switching Performance ID -3.4AG2S2G1S1SO-8DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized d

 9.2. Size:95K  ape
ap4957agm-hf.pdfpdf_icon

AP4955GM

AP4957AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26mD1D1 Dual P MOSFET Package ID -7.4AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best com

Другие MOSFET... AP4880GM , AP4920GM-HF , AP4924GM , AP4933GM-HF , AP4936GM , AP4951GM , AP4951GM-HF , AP4953GM-HF , AO3407 , AP4957AGM , AP4957GM , AP4959GM , AP4961GM , AP4963GEM-HF , AP9467AGH-HF , AP9467AGM-HF , AP9467AGMT-HF .

History: SWB046R08E9T | 2SK2063 | 2SJ604-S

 

 
Back to Top

 


 
.