FRF254R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRF254R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 162 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FRF254R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRF254R даташит

 8.1. Size:48K  intersil
 frf254.pdf pdf_icon

FRF254R

FRF254D, FRF254R, FRF254H 17A, 250V, 0.185 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 17A, 250V, RDS(on) = 0.185 TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:48K  intersil
 frf250.pdf pdf_icon

FRF254R

FRF250D, FRF250R, FRF250H 23A, 200V, 0.115 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 23A, 200V, RDS(on) = 0.115 TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRF150D, FRF150H, FRF150R, FRF250D, FRF250H, FRF250R, FRF254D, FRF254H, SKD502T, FRF450D, FRF450H, FRF450R, FRF9150D, FRF9150H, FRF9150R, FRF9250D, FRF9250H