Справочник MOSFET. AP50T10GP-HF

 

AP50T10GP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50T10GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP50T10GP-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50T10GP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
 ap50t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP50T10GP-HF

AP50T10GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 37AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedize

 5.1. Size:145K  ape
 ap50t10gp.pdf pdf_icon

AP50T10GP-HF

AP50T10GP-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V RDS(ON) 30m Lower Gate Charge Fast Switching Characteristic ID 37AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50T10 series are from Advanced Power innovate

 6.1. Size:94K  ape
 ap50t10gm-hf.pdf pdf_icon

AP50T10GP-HF

AP50T10GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 30m Surface Mount Package ID 6.5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 6.2. Size:58K  ape
 ap50t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP50T10GP-HF

AP50T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 21.8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9467GH-HF , AP9467GJ-HF , AP9467GS , AP50T10AGI-HF , AP50T10GH-HF , AP50T10GI-HF , AP50T10GJ-HF , AP50T10GM-HF , IRFP260N , AP50T10GS-HF , AP5321GM-HF , AP5322GM-HF , AP5331GM-HF , AP5521GH-HF , AP5521GM-HF , AP55T06GI-HF , AP55T06GS-HF .

History: RJK1211DPA | FQD13N10LTF | STW77N65M5 | HMS10N60K | IPD105N04LG | TPCJ2101

 

 
Back to Top

 


 
.