Справочник MOSFET. AP55T10GP-HF

 

AP55T10GP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP55T10GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP55T10GP-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55T10GP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
 ap55t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

 5.1. Size:144K  ape
 ap55t10gp.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GP-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V RDS(ON) 16.5m Lower Gate Charge Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP55T10 series are from Advanced Power innova

 6.1. Size:193K  ape
 ap55t10gh.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP55T10 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology

 6.2. Size:162K  ape
 ap55t10gi.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristics ID 31.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP55T10 series are from Advanced Power inno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP5322GM-HF , AP5331GM-HF , AP5521GH-HF , AP5521GM-HF , AP55T06GI-HF , AP55T06GS-HF , AP55T10GH-HF , AP55T10GI-HF , IRFB4115 , AP55T10GS-HF , AP60N03GH , AP60N03GJ , AP60N03GP , AP60N03GS , AP60T03GH-HF , AP60T03GI , AP60T03GJ-HF .

History: SM2609PSC | TSJ10N10AT | AOI4130 | 2SK3575-Z | NCE0160AG | HUFA75343S3S

 

 
Back to Top

 


 
.