Справочник MOSFET. AP55T10GP-HF

 

AP55T10GP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP55T10GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55T10GP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
 ap55t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

 5.1. Size:144K  ape
 ap55t10gp.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GP-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V RDS(ON) 16.5m Lower Gate Charge Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP55T10 series are from Advanced Power innova

 6.1. Size:193K  ape
 ap55t10gh.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP55T10 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology

 6.2. Size:162K  ape
 ap55t10gi.pdf pdf_icon

AP55T10GP-HF

AP55T10GI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristics ID 31.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP55T10 series are from Advanced Power inno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.