FRF450H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRF450H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 196 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.615 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
FRF450H Datasheet (PDF)
frf450.pdf
FRF450D, FRF450R,FRF450H9A, 500V, 0.615 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 9A, 500V, RDS(on) = 0.615TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R , FRF254D , FRF254H , FRF254R , FRF450D , 18N50 , FRF450R , FRF9150D , FRF9150H , FRF9150R , FRF9250D , FRF9250H , FRF9250R , FRK150D .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918