Справочник MOSFET. FRF450H

 

FRF450H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRF450H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 196 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.615 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FRF450H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRF450H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  intersil
 frf450.pdf pdf_icon

FRF450H

FRF450D, FRF450R,FRF450H9A, 500V, 0.615 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 9A, 500V, RDS(on) = 0.615TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R , FRF254D , FRF254H , FRF254R , FRF450D , TK10A60D , FRF450R , FRF9150D , FRF9150H , FRF9150R , FRF9250D , FRF9250H , FRF9250R , FRK150D .

History: BF1101R | FQA32N20C | CS8N65A8H | STM4410A

 

 
Back to Top

 


 
.