Справочник MOSFET. AP6679BGH-HF

 

AP6679BGH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6679BGH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679BGH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
ap6679bgh-hf ap6679bgj-hf.pdfpdf_icon

AP6679BGH-HF

AP6679BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,

 5.1. Size:201K  ape
ap6679bgh.pdfpdf_icon

AP6679BGH-HF

AP6679BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6679B series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to achieve th

 6.1. Size:95K  ape
ap6679bgm-hf.pdfpdf_icon

AP6679BGH-HF

AP6679BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Lower On-resistance D RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID -13.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

 6.2. Size:95K  ape
ap6679bgi-hf.pdfpdf_icon

AP6679BGH-HF

AP6679BGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -48AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SQD100N03-3M2L | MC11N005 | IRFR3411 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.