Справочник MOSFET. AP6679BGM-HF

 

AP6679BGM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6679BGM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679BGM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap6679bgm-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGM-HF

AP6679BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Lower On-resistance D RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID -13.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

 5.1. Size:179K  ape
 ap6679bgm.pdf pdf_icon

AP6679BGM-HF

AP6679BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Lower On-resistance RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID -13.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP6679B series are from Advanced Power innovated design andsilicon process tech

 6.1. Size:95K  ape
 ap6679bgi-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGM-HF

AP6679BGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -48AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

 6.2. Size:95K  ape
 ap6679bgp-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGM-HF

AP6679BGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Grugg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP60T10GP , AP60T10GS , AP62T03GH , AP62T03GJ , AP6618GM-HF , AP6677GH , AP6679BGH-HF , AP6679BGI-HF , 18N50 , AP6679BGP-HF , AP6679GH-HF , AP6679GI-HF , AP6679GJ-HF , AP6679GM-HF , AP6679GP , AP6679GP-A-HF , AP6679GR .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.