Справочник MOSFET. FRF9250D

 

FRF9250D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRF9250D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 242 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRF9250D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:47K  intersil
 frf9250.pdf pdf_icon

FRF9250D

FRF9250D, FRF9250R,FRF9250H14A, -200V, 0.315 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 14A, -200V, RDS(on) = 0.315TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRF254H , FRF254R , FRF450D , FRF450H , FRF450R , FRF9150D , FRF9150H , FRF9150R , CS150N03A8 , FRF9250H , FRF9250R , FRK150D , FRK150H , FRK150R , FRK160D , FRK160H , FRK160R .

History: APT6035BN | BUK455-100B | SSF65R420S2 | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.