Справочник MOSFET. 2SK812

 

2SK812 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK812
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для 2SK812

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK812 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  nec
2sk812.pdfpdf_icon

2SK812

 9.1. Size:355K  1
2sk815.pdfpdf_icon

2SK812

 9.2. Size:354K  1
2sk810.pdfpdf_icon

2SK812

 9.3. Size:507K  1
2sk814.pdfpdf_icon

2SK812

Другие MOSFET... AP6901GSM-HF , 2SK800 , 2SK805 , 2SK806 , 2SK808 , 2SK808A , 2SK809 , 2SK809A , MMIS60R580P , 2SK817 , 2SK821 , 2SK823 , 2SK824 , 2SK825 , 2SK827 , 2SK829 , 2SK881 .

History: 2SK611 | CAS100H12AM1 | NCE60NF260F | NTMFS4841NT1G | 2SJ254 | SLF32N20C

 

 
Back to Top

 


 
.