2SK817 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SK817 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK817 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-220

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для 2SK817

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

2SK817 даташит

..1. Size:176K nec
2sk817.pdf pdf_icon

..2. Size:279K inchange semiconductor
2sk817.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK817 FEATURES Drain Current I = 26A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 55m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

9.1. Size:355K 1
2sk815.pdf pdf_icon