2SK823. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK823

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для 2SK823

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK823 даташит

 ..1. Size:147K  nec
 2sk823.pdf pdf_icon

2SK823

 9.1. Size:153K  nec
 2sk821.pdf pdf_icon

2SK823

 9.2. Size:144K  nec
 2sk825.pdf pdf_icon

2SK823

 9.3. Size:57K  nec
 2sk824.pdf pdf_icon

2SK823

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK806, 2SK808, 2SK808A, 2SK809, 2SK809A, 2SK812, 2SK817, 2SK821, IRF830, 2SK824, 2SK825, 2SK827, 2SK829, 2SK881, 2SK882, 2SK941, 2SK951-MR