2SK827. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK827

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для 2SK827

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK827 даташит

 ..1. Size:142K  nec
 2sk827.pdf pdf_icon

2SK827

 9.1. Size:153K  nec
 2sk821.pdf pdf_icon

2SK827

 9.2. Size:144K  nec
 2sk825.pdf pdf_icon

2SK827

 9.3. Size:57K  nec
 2sk824.pdf pdf_icon

2SK827

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK809, 2SK809A, 2SK812, 2SK817, 2SK821, 2SK823, 2SK824, 2SK825, IRFB7545, 2SK829, 2SK881, 2SK882, 2SK941, 2SK951-MR, AP6902AGH-HF, AP6903GH-HF, AP6904GH-HF