AP6921GMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP6921GMT-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13(3.9) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34(74) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5(6) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130(345) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115(0.005) Ohm
Тип корпуса: PMPAK5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP6921GMT-HF Datasheet (PDF)
ap6921gmt-hf.pdf

AP6921GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11.5mG1Converter Application ID 34AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 5mG2Description ID 74AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2
ap6926gmt.pdf

AP6926GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 40V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 40mG1Converter Application ID 15AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 40VRDS(ON) 20mG2Description ID 24AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S
ap6925gy.pdf

AP6925GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODED Low Gate Charge BVDSS -16VNCK Surface Mount Package RDS(ON) 150mG RoHS Compliant ID - 1.6ASSOT-26 AADDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra lower
ap6922gmt-hf.pdf

AP6922GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 8.5mG1Converter Application ID 48AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 3.8mG2Description ID 87AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: HM5001 | HGS210N12SL | ISZ0901NLS | PJM3401PSA | RQK0303MGDQA | SIHFBE20 | IXFP18N65X2
History: HM5001 | HGS210N12SL | ISZ0901NLS | PJM3401PSA | RQK0303MGDQA | SIHFBE20 | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229