FRK150D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRK150D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1120 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO204AE

Аналог (замена) для FRK150D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRK150D даташит

 8.1. Size:48K  intersil
 frk150.pdf pdf_icon

FRK150D

FRK150D, FRK150R, FRK150H 40A, 100V, 0.055 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 40A, 100V, RDS(on) = 0.055 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRF450H, FRF450R, FRF9150D, FRF9150H, FRF9150R, FRF9250D, FRF9250H, FRF9250R, CS150N03A8, FRK150H, FRK150R, FRK160D, FRK160H, FRK160R, FRK250D, FRK250H, FRK250R