AP6982GN2-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6982GN2-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для AP6982GN2-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6982GN2-HF даташит

 ..1. Size:96K  ape
ap6982gn2-hf.pdfpdf_icon

AP6982GN2-HF

AP6982GN2-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive D BVDSS 20V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12.5m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 11A G S Top view D D D S Description D S AP6982 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 5.1. Size:647K  ape
ap6982gn2.pdfpdf_icon

AP6982GN2-HF

AP6982GN2-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive D BVDSS 20V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12.5m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 11A G S Top view D D D S Description D S AP6982 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 7.1. Size:85K  ape
ap6982gm-hf.pdfpdf_icon

AP6982GN2-HF

AP6982GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30V D2 D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18m D1 D1 Surface Mount Package ID 8.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 26m Description ID 7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC pr

 7.2. Size:99K  ape
ap6982gm.pdfpdf_icon

AP6982GN2-HF

AP6982GM Pb Free Plating Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30V D2 D2 D2 D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18m D1 D1 D1 D1 Surface Mount Package ID 8.5A G2 G2 CH-2 BVDSS 30V S2 S2 G1 SO-8 G1 S1 RDS(ON) 26m SO-8 S1 Descript

Другие IGBT... AP6928GMT-HF, AP6930GMT-HF, AP6941GMT-HF, AP6942GMT-HF, AP6950GYT-HF, AP6970GN2-HF, AP6980GN2-HF, AP6982GM, IRFB4110, AP6983GN2-HF, AP70L02GH, AP70L02GJ, AP70L02GP, AP70L02GS, AP70T03GH, AP70T03GI, AP70T03GJ-HF