AP70T03GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP70T03GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP70T03GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70T03GH даташит

 ..1. Size:98K  ape
 ap70t03gh.pdf pdf_icon

AP70T03GH

AP70T03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

 ..2. Size:843K  cn vbsemi
 ap70t03gh.pdf pdf_icon

AP70T03GH

AP70T03GH www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOL

 0.1. Size:98K  ape
 ap70t03gh-hf ap70t03gj-hf.pdf pdf_icon

AP70T03GH

AP70T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 9m Fast Switching ID 60A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 6.1. Size:121K  ape
 ap70t03gi.pdf pdf_icon

AP70T03GH

AP70T03GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30V D Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Full Isolation Package ID 60A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF, AP70L02GH, AP70L02GJ, AP70L02GP, AP70L02GS, 10N60, AP70T03GI, AP70T03GJ-HF, AP70T03GP, AP70T03GS, AP72T02GJ-HF, AP72T03GH, AP72T03GI-HF, AP72T03GJ