AP72T12GP-HF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP72T12GP-HF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
Тип корпуса: TO-220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP72T12GP-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP72T12GP-HF даташит
ap72t12gp-hf.pdf
AP72T12GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 120V Lower On-resistance RDS(ON) 22.5m Fast Switching Characteristic ID 52A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the The Advanced Power MOSFETs from APEC provi
ap72t03gp.pdf
AP72T03GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 65A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
ap72t03gh ap72t03gj.pdf
AP72T03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 62A G S Description G D S TO-252(H) Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ap72t03gi-hf.pdf
AP72T03GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 62A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized device
Другие IGBT... AP70T03GJ-HF, AP70T03GP, AP70T03GS, AP72T02GJ-HF, AP72T03GH, AP72T03GI-HF, AP72T03GJ, AP72T03GP-HF, 2N7000, AP730P, AP73T02GH-HF, AP73T02GJ-HF, AP73T03AGH-HF, AP73T03AGM-HF, AP73T03AGMT-HF, AP73T03GH-HF, AP73T03GJ-HF
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor









