AP75N07AGP-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP75N07AGP-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AP75N07AGP-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP75N07AGP-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap75n07agp-hf.pdf pdf_icon

AP75N07AGP-HF

AP75N07AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 4.1. Size:153K  ape
 ap75n07agp.pdf pdf_icon

AP75N07AGP-HF

AP75N07AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description AP75N07A series are from Advanced Power i

 7.1. Size:95K  ape
 ap75n07gi-hf.pdf pdf_icon

AP75N07AGP-HF

AP75N07GI-HF RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 43A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching

 7.2. Size:126K  ape
 ap75n07gw.pdf pdf_icon

AP75N07AGP-HF

AP75N07GW RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 90A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP73T02GH-HF, AP73T02GJ-HF, AP73T03AGH-HF, AP73T03AGM-HF, AP73T03AGMT-HF, AP73T03GH-HF, AP73T03GJ-HF, AP73T03GMT-HF, 4435, AP75N07GI-HF, AP75N07GP-HF, AP75N07GS-HF, AP75N07GW, AP70T15GI-HF, AP70T15GP-HF, AP72T02GH-HF, AP75T10AGP