FRK160D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRK160D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 900 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO204AE

Аналог (замена) для FRK160D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRK160D даташит

 8.1. Size:48K  intersil
 frk160.pdf pdf_icon

FRK160D

FRK160D, FRK160R, FRK160H 50A, 100V, 0.040 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 50A, 100V, RDS(on) = 0.040 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRF9150H, FRF9150R, FRF9250D, FRF9250H, FRF9250R, FRK150D, FRK150H, FRK150R, STP80NF70, FRK160H, FRK160R, FRK250D, FRK250H, FRK250R, FRK254D, FRK254H, FRK254R