Справочник MOSFET. AP85T03GP-HF

 

AP85T03GP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP85T03GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85T03GP-HF Datasheet (PDF)

 5.1. Size:154K  ape
ap85t03gp.pdfpdf_icon

AP85T03GP-HF

AP85T03GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDAP85T03 series are from Advanced Power inno

 6.1. Size:98K  ape
ap85t03gh-hf ap85t03gj-hf.pdfpdf_icon

AP85T03GP-HF

AP85T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS CompliantSDescriptionGDSTO-252(H)The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialsurface mount applications and suite

 6.2. Size:216K  ape
ap85t03gj.pdfpdf_icon

AP85T03GP-HF

AP85T03GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching ID 75AGSDescriptionGDSTO-252(H)The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialsurface mount applications and suited for low voltage applicationssuch

 6.3. Size:163K  ape
ap85t03gs.pdfpdf_icon

AP85T03GP-HF

AP85T03GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDAP85T03 series are from Advanced Power inno

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AON6702 | ELM34801AA | 2SK3604-01SJ | IXUC160N075 | AOTL160A60 | 2SK2729 | FQA6N90C-F109

 

 
Back to Top

 


 
.