AP85T03GS-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP85T03GS-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AP85T03GS-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85T03GS-HF даташит

 5.1. Size:163K  ape
 ap85t03gs.pdf pdf_icon

AP85T03GS-HF

AP85T03GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D AP85T03 series are from Advanced Power inno

 5.2. Size:99K  ape
 ap85t03gs p-hf.pdf pdf_icon

AP85T03GS-HF

AP85T03GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial D S TO-263(S) surface mount applic

 6.1. Size:98K  ape
 ap85t03gh-hf ap85t03gj-hf.pdf pdf_icon

AP85T03GS-HF

AP85T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant S Description G D S TO-252(H) The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suite

 6.2. Size:216K  ape
 ap85t03gj.pdf pdf_icon

AP85T03GS-HF

AP85T03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching ID 75A G S Description G D S TO-252(H) The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP83T03AGMT-HF, AP83T03GH-HF, AP83T03GJ-HF, AP83T03GM-HF, AP83T03GMT-HF, AP85T03GH, AP85T03GJ, AP85T03GP-HF, 20N50, AP85T08GP-HF, AP85T08GS-HF, AP85T10AGI-HF, AP85T10AGP-HF, AP85T10GP-HF, AP85U03GH-HF, AP85U03GM-HF, AP85U03GMT-HF