AP85T10AGI-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP85T10AGI-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220CFM

Аналог (замена) для AP85T10AGI-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85T10AGI-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap85t10agi-hf.pdf pdf_icon

AP85T10AGI-HF

AP85T10AGI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 50A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer wit

 5.1. Size:150K  ape
 ap85t10agp.pdf pdf_icon

AP85T10AGI-HF

AP85T10AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP85T10A series are from Advanced Power innov

 5.2. Size:95K  ape
 ap85t10agp-hf.pdf pdf_icon

AP85T10AGI-HF

AP85T10AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer wi

 7.1. Size:59K  ape
 ap85t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP85T10AGI-HF

AP85T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G rugg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP83T03GM-HF, AP83T03GMT-HF, AP85T03GH, AP85T03GJ, AP85T03GP-HF, AP85T03GS-HF, AP85T08GP-HF, AP85T08GS-HF, STF13NM60N, AP85T10AGP-HF, AP85T10GP-HF, AP85U03GH-HF, AP85U03GM-HF, AP85U03GMT-HF, AP85U03GP-HF, AP86T02GH-HF, AP86T02GJ-HF