Справочник MOSFET. AP9408GJ

 

AP9408GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9408GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для AP9408GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9408GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  ape
 ap9408gh ap9408gj.pdf pdf_icon

AP9408GJ

AP9408GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic G ID 57ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi

 7.1. Size:59K  ape
 ap9408gm-hf.pdf pdf_icon

AP9408GJ

AP9408GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of f

 7.2. Size:169K  ape
 ap9408gm.pdf pdf_icon

AP9408GJ

AP9408GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9408 series are from

 8.1. Size:94K  ape
 ap9408agm-hf.pdf pdf_icon

AP9408GJ

AP9408AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10mDD Fast Switching Characteristic ID 12.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9404GH-HF , AP9404GM-HF , AP9408AGH , AP9408AGI , AP9408AGM-HF , AP9408AGP , AP9408CGM-HF , AP9408GH , IRFP250N , AP9408GM-HF , AP9410AGH-HF , AP9410AGM-HF , AP9410GH-HF , AP9410GM , AP9410GMT-HF , AP9412AGH , AP9412AGI .

History: FQPF7N10L | AP1RA03GMT-HF | AP95T06AGP | GSM2324 | AONS36306 | GSM1913

 

 
Back to Top

 


 
.