AP9408GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9408GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO-11

Аналог (замена) для AP9408GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9408GM-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap9408gm-hf.pdf pdf_icon

AP9408GM-HF

AP9408GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of f

 6.1. Size:169K  ape
 ap9408gm.pdf pdf_icon

AP9408GM-HF

AP9408GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9408 series are from

 7.1. Size:99K  ape
 ap9408gh ap9408gj.pdf pdf_icon

AP9408GM-HF

AP9408GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic G ID 57A S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi

 8.1. Size:94K  ape
 ap9408agm-hf.pdf pdf_icon

AP9408GM-HF

AP9408AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D D Fast Switching Characteristic ID 12.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9404GM-HF, AP9408AGH, AP9408AGI, AP9408AGM-HF, AP9408AGP, AP9408CGM-HF, AP9408GH, AP9408GJ, 2N7000, AP9410AGH-HF, AP9410AGM-HF, AP9410GH-HF, AP9410GM, AP9410GMT-HF, AP9412AGH, AP9412AGI, AP9412AGM-HF