Справочник MOSFET. AP9410GH-HF

 

AP9410GH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9410GH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9410GH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
 ap9410gh-hf.pdf pdf_icon

AP9410GH-HF

AP9410GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGDbest combination of fast switching, ruggedi

 6.1. Size:229K  ape
 ap9410gh.pdf pdf_icon

AP9410GH-HF

AP9410GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9410 series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the lowes

 7.1. Size:58K  ape
 ap9410gmt-hf.pdf pdf_icon

AP9410GH-HF

AP9410GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5.5m SO-8 Compatible ID 80AG Low On-resistanceS RoHS Compliant & Halogen-FreeDDDDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

 7.2. Size:96K  ape
 ap9410gm-hf.pdf pdf_icon

AP9410GH-HF

AP9410GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching ID 18AGSSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.