AP9412AGH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9412AGH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9412AGH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9412AGH даташит

 ..1. Size:165K  ape
 ap9412agh.pdf pdf_icon

AP9412AGH

AP9412AGH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 68A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D S the best combination of fast switching, ruggedized device design, TO-252(H

 6.1. Size:94K  ape
 ap9412agm-hf.pdf pdf_icon

AP9412AGH

AP9412AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

 6.2. Size:61K  ape
 ap9412agp.pdf pdf_icon

AP9412AGH

AP9412AGP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 68A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance an

 6.3. Size:118K  ape
 ap9412agi.pdf pdf_icon

AP9412AGH

AP9412AGI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30V D Single Drive Requirement RDS(ON) 6m Full Isolation Package ID 68A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9408GH, AP9408GJ, AP9408GM-HF, AP9410AGH-HF, AP9410AGM-HF, AP9410GH-HF, AP9410GM, AP9410GMT-HF, IRF9540, AP9412AGI, AP9412AGM-HF, AP9412AGP, AP9412BGM-HF, AP9412CGM-HF, AP9412GH, AP9412GI, AP9412GJ