AP9412GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9412GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9412GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9412GJ даташит

 ..1. Size:64K  ape
 ap9412gh ap9412gj.pdf pdf_icon

AP9412GJ

AP9412GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 73A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D S the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

 7.1. Size:94K  ape
 ap9412gp.pdf pdf_icon

AP9412GJ

AP9412GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 73A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

 7.2. Size:118K  ape
 ap9412gi.pdf pdf_icon

AP9412GJ

AP9412GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30V D Single Drive Requirement RDS(ON) 6m Full Isolation Package ID 68A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 8.1. Size:94K  ape
 ap9412agm-hf.pdf pdf_icon

AP9412GJ

AP9412AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9412AGH, AP9412AGI, AP9412AGM-HF, AP9412AGP, AP9412BGM-HF, AP9412CGM-HF, AP9412GH, AP9412GI, AO3401, AP9412GP, AP9414GM, AP9416GM, AP9418GM, AP9420GM-HF, AP9424GYT-HF, AP9430AGYT-HF, AP9430GH-HF