Справочник MOSFET. AP9469GJ

 

AP9469GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9469GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9469GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
ap9469gh ap9469gj.pdfpdf_icon

AP9469GJ

AP9469GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 40VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 18AG RoHS CompliantSDescriptionGThe TO-252 package is universally preferred for all commercial- DSTO-252(H)industrial surface mount applications an

 7.1. Size:94K  ape
ap9469gm.pdfpdf_icon

AP9469GJ

AP9469GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50mD RoHS Compliant ID 5.5AGSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 9.1. Size:234K  ape
ap9467agh.pdfpdf_icon

AP9469GJ

AP9467AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 43AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9467A series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the

 9.2. Size:142K  ape
ap9467gs.pdfpdf_icon

AP9469GJ

AP9467GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristics ID 52AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-resista

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SFF1310Z | BSC032N03SG | 2SK2613 | BF964S | 2SK973L | ZXM64P02XTA | NCE60ND20AK

 

 
Back to Top

 


 
.