Справочник MOSFET. AP9469GM

 

AP9469GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9469GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9469GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
ap9469gm.pdfpdf_icon

AP9469GM

AP9469GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50mD RoHS Compliant ID 5.5AGSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 7.1. Size:59K  ape
ap9469gh ap9469gj.pdfpdf_icon

AP9469GM

AP9469GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 40VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 18AG RoHS CompliantSDescriptionGThe TO-252 package is universally preferred for all commercial- DSTO-252(H)industrial surface mount applications an

 9.1. Size:234K  ape
ap9467agh.pdfpdf_icon

AP9469GM

AP9467AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 43AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9467A series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the

 9.2. Size:142K  ape
ap9467gs.pdfpdf_icon

AP9469GM

AP9467GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristics ID 52AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-resista

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ142 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.