Справочник MOSFET. AP9479GM-HF

 

AP9479GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9479GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9479GM-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9479GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
 ap9479gm-hf.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9479GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VDD Lower Gate Charge RDS(ON) 45mDD Fast Switching Characteristic ID 5.6AG RoHS CompliantSSSO-8SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 6.1. Size:171K  ape
 ap9479gm.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9479GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET BVDSS 60V Simple Drive Requirement DD RDS(ON) 45m Lower Gate Charge DD ID 5.6A Fast Switching Characteristic G RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8SDescriptionDAP9479 series are fro

 9.1. Size:94K  ape
 ap9475gm-hf.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9475GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID 6.9AGSS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fa

 9.2. Size:217K  ape
 ap9476gm.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9476GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 21mDD Fast Switching Characteristic ID 7.8AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device desi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9469GM , AP9470GM-HF , AP9474GM , AP9475GM-HF , AP9476GM-HF , AP9477GK-HF , AP9477GM-HF , AP9478GM , IRF1405 , AP9487GM-HF , AP94T07GH-HF , AP94T07GJ-HF , AP94T07GMT-HF , AP94T07GP1-HF , AP94T07GP-HF , AP94T07GS-HF , AP9510GM .

 

 
Back to Top

 


 
.