AP9479GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9479GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9479GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9479GM-HF даташит

 ..1. Size:98K  ape
 ap9479gm-hf.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9479GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D Lower Gate Charge RDS(ON) 45m D D Fast Switching Characteristic ID 5.6A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 6.1. Size:171K  ape
 ap9479gm.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9479GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET BVDSS 60V Simple Drive Requirement D D RDS(ON) 45m Lower Gate Charge D D ID 5.6A Fast Switching Characteristic G RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 S Description D AP9479 series are fro

 9.1. Size:94K  ape
 ap9475gm-hf.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 9.2. Size:217K  ape
 ap9476gm.pdf pdf_icon

AP9479GM-HF

AP9476GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m D D Fast Switching Characteristic ID 7.8A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9469GM, AP9470GM-HF, AP9474GM, AP9475GM-HF, AP9476GM-HF, AP9477GK-HF, AP9477GM-HF, AP9478GM, IRF830, AP9487GM-HF, AP94T07GH-HF, AP94T07GJ-HF, AP94T07GMT-HF, AP94T07GP1-HF, AP94T07GP-HF, AP94T07GS-HF, AP9510GM