AP9561GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9561GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9561GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9561GM даташит

 ..1. Size:216K  ape
 ap9561gm.pdf pdf_icon

AP9561GM

AP9561GM RoHS-compliat Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 18m D Fast Switching Characteristic ID -9.4A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 0.1. Size:93K  ape
 ap9561gm-hf.pdf pdf_icon

AP9561GM

AP9561GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 18m D Fast Switching Characteristic ID -9.4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 7.1. Size:93K  ape
 ap9561gp-hf.pdf pdf_icon

AP9561GM

AP9561GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 7.2. Size:201K  ape
 ap9561gj.pdf pdf_icon

AP9561GM

AP9561GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9561 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to achieve th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9560GS-HF, AP9561AGH-HF, AP9561AGI-HF, AP9561AGJ-HF, AP9561AGM-HF, AP9561GH-HF, AP9561GI-HF, AP9561GJ-HF, 20N60, AP9561GP-HF, AP9562GP-HF, AP9563GH-HF, AP9563GJ-HF, AP9563GK, AP9563GM-HF, AP9564GM, 2SK4057