Справочник MOSFET. AP9563GH-HF

 

AP9563GH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9563GH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9563GH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9563GH-HF

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

 6.1. Size:235K  ape
 ap9563gh.pdf pdf_icon

AP9563GH-HF

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

 7.1. Size:178K  ape
 ap9563gm.pdf pdf_icon

AP9563GH-HF

AP9563GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID -6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9563 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology

 7.2. Size:57K  ape
 ap9563gm-hf.pdf pdf_icon

AP9563GH-HF

AP9563GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID -6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BL7N65B-U | AP92T03GP | IPA320N20NM3S | IMZA65R048M1H | PM506BA | SW4N70B | JFPC20N60C

 

 
Back to Top

 


 
.