AP9563GK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9563GK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для AP9563GK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9563GK даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap9563gk.pdf pdf_icon

AP9563GK

AP9563GK RoHS-compliat Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m S Fast Switching Characteristic ID -6.8A D G SOT-223 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost- G

 7.1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9563GK

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 7.2. Size:235K  ape
 ap9563gh.pdf pdf_icon

AP9563GK

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 7.3. Size:178K  ape
 ap9563gm.pdf pdf_icon

AP9563GK

AP9563GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9563 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9561GH-HF, AP9561GI-HF, AP9561GJ-HF, AP9561GM, AP9561GP-HF, AP9562GP-HF, AP9563GH-HF, AP9563GJ-HF, IRFZ44, AP9563GM-HF, AP9564GM, 2SK4057, 2SK3296, 2SK3296-S, 2SK3296-ZK, 2SK3296-ZJ, AP9565AGH