Справочник MOSFET. AP9564GM

 

AP9564GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9564GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9564GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9564GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
ap9564gm.pdfpdf_icon

AP9564GM

AP9564GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Low On-resistance RDS(ON) 28mD Fast Switching Characteristic ID -7.3AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 ..2. Size:827K  cn vbsemi
ap9564gm.pdfpdf_icon

AP9564GM

AP9564GMwww.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1

 0.1. Size:95K  ape
ap9564gm-hf.pdfpdf_icon

AP9564GM

AP9564GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Low On-resistance RDS(ON) 28mD Fast Switching Characteristic ID -7.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdfpdf_icon

AP9564GM

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

Другие MOSFET... AP9561GJ-HF , AP9561GM , AP9561GP-HF , AP9562GP-HF , AP9563GH-HF , AP9563GJ-HF , AP9563GK , AP9563GM-HF , IRF1404 , 2SK4057 , 2SK3296 , 2SK3296-S , 2SK3296-ZK , 2SK3296-ZJ , AP9565AGH , AP9565AGJ , AP9565BGH-HF .

History: AP2609GY-HF | APM4435K | SDF6N60JAA | STW32N55M5 | BUK7M10-40E | SDF360JEA | SVF8NN70FJ

 

 
Back to Top

 


 
.