Справочник MOSFET. AP9565BGH-HF

 

AP9565BGH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9565BGH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9565BGH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
 ap9565bgh-hf ap9565bgj-hf.pdf pdf_icon

AP9565BGH-HF

AP9565BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 52m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the GDSbest combination of fast switching,

 5.1. Size:98K  ape
 ap9565bgh j-hf.pdf pdf_icon

AP9565BGH-HF

AP9565BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 52m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the GDSbest combination of fast switching

 6.1. Size:73K  ape
 ap9565bgm-hf-pre.pdf pdf_icon

AP9565BGH-HF

AP9565BGM-HFPreliminaryAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 52mD Fast Switching Characteristic ID -5.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast swi

 8.1. Size:89K  ape
 ap9565gem.pdf pdf_icon

AP9565BGH-HF

AP9565GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 38mD RoHS Compliant ID -6.5AGSSSSO-8DDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AM4492N

 

 
Back to Top

 


 
.